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双极性晶体管（BJT）- 单个
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ZXTN2010GTA

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
6A
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
260mV @ 300mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
100 @ 2A，1V
功率 - 最大值
3W
频率 - 跃迁
130MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
商品其它信息
优势价格，ZXTN2010GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DXT2012P5-13
Diodes Incorporated
双极性晶体管（BJT）- 单个
TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
暂无价格
参考库存:36511
2SD2114KT146V
Rohm Semiconductor
双极性晶体管（BJT）- 单个
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346
暂无价格
参考库存:36519
2DD1621T-13
Diodes Incorporated
双极性晶体管（BJT）- 单个
TRANS NPN 25V 2A SOT89-3
暂无价格
参考库存:36531
FZT591TA
Diodes Incorporated
双极性晶体管（BJT）- 单个
TRANS PNP 60V 1A SOT-223
暂无价格
参考库存:9826
2SA1579T106R
Rohm Semiconductor
双极性晶体管（BJT）- 单个
TRANS PNP 120V 0.05A SOT-323
暂无价格
参考库存:36553
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