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UGBT、MOSFET - 单
IRGS6B60KDTRLP参考图片

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IRGS6B60KDTRLP

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
最後搶購
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
13A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
26A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.2V @ 15V,5A
功率 - 最大值
90W
开关能量
110µJ(开),135µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
18.2nC
25°C 时 Td(开/关)值
25ns/215ns
测试条件
400V,5A,100 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
70ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格,IRGS6B60KDTRLP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 24A 100W TO263AA
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IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
暂无价格
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暂无价格
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