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APT50GP60B2DQ2G

制造商:Microchip Technology
批号:最新
描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	POWER MOS 7®
零件状态	不適用於新設計
IGBT 类型	PT
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	190A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值	625W
开关能量	465µJ（开），635µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	165nC
25°C 时 Td（开/关）值	19ns/85ns
测试条件	400V，50A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	400V，50A，4.3 欧姆，15V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3 变式
供应商器件封装	TO-247-3 变式

商品其它信息

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