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UGBT、MOSFET - 单
IXYA20N120A4HV参考图片

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IXYA20N120A4HV

  • IXYS
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  • DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX4™,XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
135A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.9V @ 15V,20A
功率 - 最大值
375W
开关能量
3.6mJ(开),2.75mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
46nC
25°C 时 Td(开/关)值
12ns/275ns
测试条件
800mV,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
54ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263HV
商品其它信息
优势价格,IXYA20N120A4HV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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