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UGBT、MOSFET - 单
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RGT30NS65DGTL

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
45A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，15A
功率 - 最大值
133W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
32nC
25°C 时 Td（开/关）值
18ns/64ns
测试条件
400V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
55ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
LPDS（TO-263S）
商品其它信息
优势价格，RGT30NS65DGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB40N120FLWG
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暂无价格
参考库存:36698
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