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UGBT、MOSFET - 单

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IXYH75N65C3D1

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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™,GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
175A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
360A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值
750W
开关能量
2mJ(开),950µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
122nC
25°C 时 Td(开/关)值
26ns/93ns
测试条件
400V,60A,3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
65ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247(IXYH)
商品其它信息
优势价格,IXYH75N65C3D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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UGBT、MOSFET - 单
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