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FET,MOSFET - 阵列
EMH2411R-TL-H参考图片

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EMH2411R-TL-H

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N 沟道(双)共漏
FET 功能
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
36.5 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
5.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.4W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商器件封装
8-EMH
商品其它信息
优势价格,EMH2411R-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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