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FET，MOSFET - 阵列
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EFC4618R-P-TR

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH EFCP1818
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
25.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.6W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-XBGA，4-FCBGA
供应商器件封装
EFCP1313-4CC-037
商品其它信息
优势价格，EFC4618R-P-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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