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FET,MOSFET - 阵列
SI4532ADY-T1-GE3参考图片

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SI4532ADY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.7A,3A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
53 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.13W,1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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