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FET,MOSFET - 阵列
MCH6663-TL-H参考图片

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MCH6663-TL-H

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.8A,1.5A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
188 毫欧 @ 900mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
88pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
供应商器件封装
6-MCPH
商品其它信息
优势价格,MCH6663-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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