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FET,MOSFET - 阵列
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DMG4511SK4-13

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道,共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
35V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.3A,5A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
35 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
18.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
850pF @ 25V
功率 - 最大值
1.54W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商器件封装
TO-252-4L
商品其它信息
优势价格,DMG4511SK4-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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