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FET，MOSFET - 阵列
BUK9K18-40E,115参考图片

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BUK9K18-40E,115

  • Nexperia USA Inc.
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  • MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
16 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1061pF @ 25V
功率 - 最大值
38W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装
LFPAK56D
商品其它信息
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