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FET,MOSFET - 阵列
PMCXB900UEZ参考图片

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PMCXB900UEZ

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
600mA,500mA
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
21.3pF @ 10V
功率 - 最大值
265mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
DFN1010B-6
商品其它信息
优势价格,PMCXB900UEZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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