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FET，MOSFET - 阵列
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SH8M24GZETB

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
45V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
46 毫欧 @ 4.5A，10V，63 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9.6nC，18.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
550pF，1700pF @ 10V
功率 - 最大值
1.4W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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