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FET,MOSFET - 单个

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CTLDM8002A-M621 BK

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
2.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
.72nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
70pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TLM621
封装/外壳
6-PowerVFDFN
商品其它信息
优势价格,CTLDM8002A-M621 BK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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