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FET,MOSFET - 单个

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CP373-CTLDM303N-CT

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
78 毫欧 @ 1,8A, 2,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
13nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
590pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
商品其它信息
优势价格,CP373-CTLDM303N-CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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