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FET,MOSFET - 单个
STF28N65M2参考图片

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STF28N65M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
MDmesh™ M2
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
35nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1440pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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