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FET，MOSFET - 单个
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RT1E050RPTR

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
36 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
13nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1300pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSST
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
商品其它信息
优势价格，RT1E050RPTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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