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FET,MOSFET - 单个
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BSP149H6327XTSA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
SIPMOS®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
660mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
1.8 欧姆 @ 660mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
14nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
430pF @ 25V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
商品其它信息
优势价格,BSP149H6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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