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FET，MOSFET - 单个

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CSD19536KCS

制造商:Texas Instruments
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 100V TO-220
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	NexFET™
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	2.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	153nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	12000pF @ 50V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3

商品其它信息

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