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FET,MOSFET - 单个
SCT3160KLGC11参考图片

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SCT3160KLGC11

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
208 毫欧 @ 5A,18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
42nC @ 18V
Vgs(最大值)
+22V,-4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
398pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
103W(Tc)
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247N
封装/外壳
TO-247-3
商品其它信息
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