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FET，MOSFET - 单个
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CSD19536KTT

  • Texas Instruments
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  • MOSFET N-CH 100V 200A TO263
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
153nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12000pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
商品其它信息
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